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產生紫外吸收需要滿足什么條件

文章出處:未知責任編輯:三昆科技人氣:發表時間:2017-11-02 09:36

問題描述:在有機化合物分子中有形成單鍵的σ電子、有形成雙鍵的π電子、有未成鍵的孤對n電子。當分子吸收一定能量的輻射能時,這些電子就會躍遷到較高的能級,此時電子所占的軌道稱為反鍵軌道,而這種電子躍遷同內部的結構有密切的關系。 在紫外吸收光譜中,電子的躍遷有σ→σ*、n→σ*、π→π*和n→π*四種類型,各種躍遷類型所需要的能量依下列次序減小: σ→σ*>n→σ*>π→π*>n→π* 吸收帶 λmax/nm特征典型基團 εmaxσ→σ* 遠紫外區 150 遠紫外區測定C-C、C-H(在紫外光區觀測不到) n→σ* 端吸收 150 ~ 230 紫外區短波長端至遠紫外區的強吸收 -OH、-NH₂ 、-X、-S π→π* E1 帶 < 190 芳香環的雙鍵吸收 (-C=C-C=C-)n >200 K(E2) 帶 < 217 共軛多烯、-C=C-C=O-等的吸收 >10,000 n→π* R 帶 200~400 含CO,NO 2 等n電子基團的吸收 C=O、C=S、-N=O、-N=N-、C=N <100 由于一般紫外可見分光光度計只能提供190~850nm范圍的單色光,因此,我們只能測量n→σ*的躍遷,n→π*躍遷和部分π→π*躍遷的吸收,而對只能產生200nm以下吸收的σ→σ*的躍遷則無法測量。紫外吸收光譜是帶狀光譜,分子中存在一些吸收帶已被確認,其中有K帶、R帶、B帶、E1和 E2帶等。K帶是二個或二個以上π鍵共軛時,π電子向π * 反鍵軌道躍遷的結果,可簡單表示為π→π * 。R帶是與雙鍵相連接的雜原子(例如C=O、C=N、S=O等)上未成鍵電子的孤對電子向π * 反鍵軌道躍遷的結果,可簡單表示為 n→π * 。E1 帶和E2 帶是苯環上三個雙鍵共軛體系中的π電子向π*反鍵軌道躍遷的結果,可簡單表示為 π→π * 。B帶也是苯環上三個雙鍵共軛體系中的π→π * 躍遷和苯環的振動相重疊引起的,但相對來說,該吸收帶強度較弱。以上各吸收帶相對的波長位置由大到小的次序為:R、B、K、E2、 E1 ,但一般K和E帶常合并成一個吸收帶。與可見光吸收光譜一樣,在紫外吸收光譜分析中,在選定的波長下,吸光度與物質濃度的關系,也可用光的吸收定律即朗伯—比爾定律來描述:A= lg (Io /I) =ε bc其中A為溶液吸光度,Io為入射光強度,I為透射光強度,ε為該溶液摩爾吸光系數,b為溶液厚度,c為溶液濃度。

回答(1).紫外可見吸收光譜吸收峰是由于價電子的躍遷而產生的。 紫外吸收光譜和可見吸收光譜都屬于分子光譜,它們都是由于價電子的躍遷而產生的。利用物質的分子或離子對紫外和可見光的吸收所產生的紫外可見光譜及吸收程度可以對物質的組成、含量和結構進行分析、測定、推斷。 在有機化合物分子中有形成單鍵的σ電子、有形成雙鍵的π電子、有未成鍵的孤對n電子。當分子吸收一定能量的輻射能時,這些電子就會躍遷到較高的能級,此時電子所占的軌道稱為反鍵軌道,而這種電子躍遷同內部的結構有密切的關系。 紫外可見吸收光譜中吸收峰的形狀及所在位置是定性、定結構的依據;吸收峰的強度是定量的依據。

回答(2).具有共軛雙鍵

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